EAN: 8806095575667 | P/N: MZ-V9S4T0BW | Marca: Samsung
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| Marca | Samsung |
| Modelo | Mz-V9S4T0Bw |
| Capacidad | - 4Tb |
| Interfaz | - Pcie Gen 4.0 X4 / 5.0 X2 Nvme 2.0 |
| Tamano | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura Secuencial: Hasta 7250 Mb/S - Escritura Secuencial: Hasta 6300 Mb/S - Lectura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 1.050.000 Iops - Escritura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 1.400.000 Iops |
| Caracteristicas | - Memoria Cache: Hmb (Bufer De Memoria Del Host) - Soporte Trim - Soporte S.m.a.r.t - Gc(Garbage Collection): Algoritmo De Recoleccion Automatica De Basura - Soporte De Cifrado Cifrado Aes De 256 Bits (Clase 0) Tcg/Opal Ieee1667 (Unidad Cifrada) - Soporte Wwn - Soporte Del Modo De Suspension Del Dispositivo Alimentacion - Consumo Medio De Energia (Nivel De Sistema): Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W - Consumo De Energia (Inactivo): Tipico 60 Mw - Consumo De Energia (Reposo Del Dispositivo): 5 Mw Tipico - Voltaje Permitido: 3,3 V &Plusmn; 5 % Tension Permitida - Confiabilidad (Mtbf): Fiabilidad De 1,5 Millones De Horas (Mtbf) - Temperatura De Funcionamiento: 0 - 70 &Ordm;C Temperatura De Funcionamiento - Choque: 1.500 G Y 0,5 Ms (Medio Seno) Dimensiones Y Peso - 80,15 X 22,15 X 2,38Mm - Max. 9 G |
| Fecha De Revision | 17-10-2024 Por Rty |
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