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Samsung Disco Duro Interno Solido Ssd Samsung 990 Evo Plus 1Tb Pcie 4.0X4 5.0X2 Nvme 2.0
93,09 €
Impuestos incluidos
EAN: 8806095575674 | P/N: MZ-V9S1T0BW | Marca: Samsung
Samsung 990 Evo Plus Ssd 1Tb Pcie 4.0X 4 Nvme 2.0
Marca Samsung
Modelo Mz-V9S1T0Bw
Capacidad - 1Tb
Interfaz - Pcie Gen 4.0 X4 / 5.0 X2 Nvme 2.0
Tamano - M.2 (2280)
Rendimiento - Lectura Secuencial: Hasta 7150 Mb/S
- Escritura Secuencial: Hasta 6300 Mb/S
- Lectura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 850.000 Iops
- Escritura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 1.350.000 Iops
Caracteristicas - Memoria Cache: Hmb (Bufer De Memoria Del Host)
- Soporte Trim
- Soporte S.m.a.r.t
- Gc(Garbage Collection): Algoritmo De Recoleccion Automatica De Basura
- Soporte De Cifrado
Cifrado Aes De 256 Bits (Clase 0) Tcg/Opal
Ieee1667 (Unidad Cifrada)
- Soporte Wwn
- Soporte Del Modo De Suspension Del Dispositivo
Alimentacion
- Consumo Medio De Energia (Nivel De Sistema):
Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W
- Consumo De Energia (Inactivo): Tipico 60 Mw
- Consumo De Energia (Reposo Del Dispositivo): 5 Mw Tipico
- Voltaje Permitido: 3,3 V 5 % Tension Permitida
- Confiabilidad (Mtbf): Fiabilidad De 1,5 Millones De Horas (Mtbf)
- Temperatura De Funcionamiento: 0 - 70 Oc Temperatura De Funcionamiento
- Choque: 1.500 G Y 0,5 Ms (Medio Seno)
Dimensiones Y Peso
- 80,15 X 22,15 X 2,38Mm
- Max. 9 G
Marca Samsung
Modelo Mz-V9S1T0Bw
Capacidad - 1Tb
Interfaz - Pcie Gen 4.0 X4 / 5.0 X2 Nvme 2.0
Tamano - M.2 (2280)
Rendimiento - Lectura Secuencial: Hasta 7150 Mb/S
- Escritura Secuencial: Hasta 6300 Mb/S
- Lectura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 850.000 Iops
- Escritura Aleatoria (4Kb, Qd32): Hasta 1.350.000 Iops
Caracteristicas - Memoria Cache: Hmb (Bufer De Memoria Del Host)
- Soporte Trim
- Soporte S.m.a.r.t
- Gc(Garbage Collection): Algoritmo De Recoleccion Automatica De Basura
- Soporte De Cifrado
Cifrado Aes De 256 Bits (Clase 0) Tcg/Opal
Ieee1667 (Unidad Cifrada)
- Soporte Wwn
- Soporte Del Modo De Suspension Del Dispositivo
Alimentacion
- Consumo Medio De Energia (Nivel De Sistema):
Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W
- Consumo De Energia (Inactivo): Tipico 60 Mw
- Consumo De Energia (Reposo Del Dispositivo): 5 Mw Tipico
- Voltaje Permitido: 3,3 V 5 % Tension Permitida
- Confiabilidad (Mtbf): Fiabilidad De 1,5 Millones De Horas (Mtbf)
- Temperatura De Funcionamiento: 0 - 70 Oc Temperatura De Funcionamiento
- Choque: 1.500 G Y 0,5 Ms (Medio Seno)
Dimensiones Y Peso
- 80,15 X 22,15 X 2,38Mm
- Max. 9 G
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Las compras con importes inferiores a 250€, tienen el siguiente intervalo
Según un intervalo de importes (Impuestos incluidos)
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* 6.95 € para pedidos inferioes a 50,00€
- * 5,95 € para pedidos entre 50,00€ y 250,00 €
- * 0€ para pedidos superiores a 250€
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EAN: 8806095575674 | P/N: MZ-V9S1T0BW | Marca: Samsung